ALM-31322

3.3 - 3.9GHz 1W 高線形性アンプ

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アバゴ・テクノロジーの ALM-31322 は、アバゴ独自の 0.25µm GaAs E-pHEMT 技術を用いて実現された高い OIP3 性能とひときわ高い PAE at P1dB (ゲイン圧縮ポイント)を有する高線形性1Wのパワーアンプです。このリニアアンプは、あらゆる用途に高い均一性を提供します。

主な機能

  • 入出力整合
  • 高線形性とP1dB
  • 無条件安定
  • 調整可能な温度補償付き内部バイアス回路
  • GaAs E-pHEMT テクノロジー
  • 5V 電源
  • 優れた製品スペック均一性
  • テープ・アンド・リール・パッケージ・オプション
  • MSL-3 および鉛フリー
  • 基地局用高 MTTF

アプリケーション

  • WiMAX 基地局向けクラスAドライバ・アンプ
  • 汎用ゲイン・ブロック

Lifecycle Status

Obsolete

Substance Compliance

  • RoHS6
    Fully Compliant
Specification Value
Lifecycle Obsolete
RoHS6 Compliant Y
Distrib. Inventory No
RF Freq (GHz)
IF Freq (GHz)
Conversion Gain (dB)
LO/RF Isol. (dB)
IIP3 (dBm)
Frequency (GHz) 3.3-3.9
Bias Condition (V@mA) 5V@413mA
NF (dB) 2.8
Gain (dB) 13.2
P1dB (dBm) 31
OIP3 (dBm) 47.7
Package SMT 5x6
IP1dB (dBm)
Obsolescence Notice1 i
Product Change Notice (PCN)6 i
Reliability Data Sheet1 i
S-Parameter1 i

DEMO-ALM-31X22

ALM-31122/222/322用 デモ用回路基板